Transistors

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: HIGH SWITCH. Courant de collecteur: 1A. Dissipation de puissance maxi: 1.5W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Id (T=100°C): 12A. Id (T=25°C): 15A. Idss (maxi): 15A. Dissipation de puissance maxi: 37W. Résistance passante Rds On: 0.05 Ohms. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 15 ns. Td(on): 7 ns. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Tension Vds(max): 60V. Nombre de connexions: 3. Technologie: (D-S) 175°C MOSFET, Logic Level. Quantité par boîtier: 1

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SUP53P06-20. Tension drain-source Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -53A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0195 Ohms @ -30A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 110 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 3500pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 104W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: non. Famille de composants: MOSFET, N-MOS. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: SUP75N03-04. Tension drain-source Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 75A. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 3V. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 190 ns. Capacité de grille Ciss [pF]: 10742pF. Dissipation maximale Ptot [W]: 187W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +175°C

Transistor. C (in): 3535pF. C (out): 680pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Protection drain-source: diode. Trr Diode (Min.): 41 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Id (T=100°C): 85A. Id (T=25°C): 85A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 78W. Résistance passante Rds On: 0.003 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 35 ns. Td(on): 11 ns. Technologie: TrenchFET® Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Unité de conditionnement: 50. Fonction: alimentation, convertisseur DC/DC. Spec info: (D-S) 150°C MOSFET. Protection G-S: non

Transistor. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -20V. Courant de collecteur: -1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 65MHz. Boîtier: TO-92. Applications: Audio

Transistor. Type de transistor: transistor PNP. Polarité: PNP. Tension collecteur-émetteur VCEO: -45V. Courant de collecteur: -1A. Puissance: 0.8W. Fréquence maxi: 150MHz. Boîtier: TO-92. Applications: Audio

Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Courant de collecteur: 7A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: ISOWATT218. Boîtier (selon fiche technique): ISOWATT218. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 700V. Quantité par boîtier: 1

Transistor. C (in): 5500pF. C (out): 100pF. Type de canal: N. Diode au Germanium: Suppresseur. Courant de collecteur: 240A. Ic(puls): 240A. Dissipation de puissance maxi: 30W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 140 ns. Td(on): 46 ns. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F-3FS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 3.6V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 430V. Tension grille - émetteur VGE: 33V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 2.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 5V. Nombre de connexions: 3. Fonction: Low-saturation voltage, Ultra high speed switching. Divers: flash, contrôle de stroboscope. Technologie: Enhancement type. Spec info: High speed hall time--tf=270nS(typ). Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Résistance BE: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Fonction: commutation, amplificateur audio. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP107. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 20000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 15A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: transistor Darlington. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Remarque: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Fonction: commutation, amplificateur audio. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP102. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Remarque: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2)

Transistor. C (out): 2pF. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 50W. Type de transistor: NPN. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Remarque: >1000. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-220. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP120. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 60V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP122. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Fréquence de coupure ft [MHz]: silicium. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127

Transistor. Résistance B: oui. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (in): TO-220. C (out): 200pF. Conditionnement: tube en plastique. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE maxi: +150°C. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unité de conditionnement: 50. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP127G. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP126. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 80V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C

Transistor. Boîtier: TO-220. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Type de transistor: Transistor de puissance Darlington. Polarité: PNP. Type: transistor Darlington. Tension collecteur-émetteur VCEO: -100V. Courant de collecteur: -5A. Puissance: 75W. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Fonction: 16k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Unité de conditionnement: 50. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP122

Transistor. Résistance BE: 8 k Ohms és 120 Ohms. C (out): 300pF. Conditionnement: tube en plastique. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 8A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 65W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Fonction: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). Unité de conditionnement: 50. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP122G. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP127. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 5A. Dissipation maximale Ptot [W]: 65W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Famille de composants: transistor de puissance PNP

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor NPN Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): TO-220AB. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP132. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 8A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 15000. Dissipation maximale Ptot [W]: 70W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP137

Transistor. Résistance B: oui. Résistance BE: soudure sur circuit imprimé. C (in): TO-220AB. C (out): 70pF. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: 8A. Gain hFE maxi: 15000. Gain hFE mini: 1000. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 12V. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 70W. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO220. Type de transistor: PNP. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 4 v. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP132. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor. C (out): 60pF. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Résistance B: Transistor de puissance Darlington. C (in): 100V. Nombre de connexions: 3. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Transistor Darlington de puissance complémentaire. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 10A. Ic(puls): 20A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Résistance BE: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP147T. Diode BE: non. Diode CE: oui

Transistor. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: TIP147. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 10A. Fréquence de coupure ft [MHz]: 500. Dissipation maximale Ptot [W]: 125W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 125W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Darlington monolithique. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Tension de saturation VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Spec info: transistor complémentaire (paire) TIP142