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Transistor TIP110

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Transistor TIP110. Transistor. Transistor Darlington?: oui. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 1000. Gain hFE mini: 500. Courant de collecteur: 2A. Ic(puls): 4A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Type de transistor: NPN. Vcbo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Remarque: >1000. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 19:25.

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