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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Diode 1N4007

Diode 1N4007
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Diode 1N4007. Diode. VRRM: 1000V. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2X2.7mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. Spec info: 30Ap/8.3ms. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.

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Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-41. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Diode. RoHS: oui. Boîtier: DO-41. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): DO-41. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 2.6x4.8mm ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1300V. Spec info: IFSM--30Ap t=8.3mS
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Diode. Conditionnement: rouleau. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Trr Diode (Min.): 75 ns. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Ultrafast silicon rectifier diode. IF(AV): 1A. IFSM: 27A. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Boîtier: DO-213. Boîtier (selon fiche technique): DO-213AB ( 2.5x5mm ). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de seuil Vf (max): 1.7V. Tension de seuil Vf (min): 1.7V. VRRM: 1000V. Nombre de connexions: 2. Unité de conditionnement: 5000. Spec info: IFSM--27Ap
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Diode. Cj: 15pF. Quantité par boîtier: 1. Structure diélectrique: Anode-cathode. Matériau semi-conducteur: silicium. IF(AV): 1A. IFSM: 30A. IRM (max): 500uA. IRM (min): 5uA. Nombre de connexions: 2. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: DO-41. Boîtier (selon fiche technique): DO-41 ( 5.2x2.7 ). Température de fonctionnement: -65...+175°C. Tension de seuil Vf (max): 1.1V. Tension de seuil Vf (min): 1.1V. VRRM: 1600V. Spec info: 30Ap
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