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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor STW43NM60N

Transistor STW43NM60N
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2 - 2 15.14€ 18.17€
3 - 4 14.34€ 17.21€
5 - 9 13.55€ 16.26€
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Transistor STW43NM60N. Transistor. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Id (T=100°C): 22A. Id (T=25°C): 35A. Idss (maxi): 35A. Dissipation de puissance maxi: 255W. Résistance passante Rds On: 0.075 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: MDmesh II. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Tension Vds(max): 600V. Fonction: Idm--140Ap(pulsed). Quantité par boîtier: 1. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 00:25.

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Transistor. C (in): 3800pF. C (out): 1250pF. Type de canal: N. Protection drain-source: Diode Zéner. Trr Diode (Min.): 508 ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 180A. Id (T=100°C): 28A. Id (T=25°C): 45A. Idss (maxi): 100uA. Idss (min): 10uA. Marquage sur le boîtier: W45NM60. Dissipation de puissance maxi: 417W. Résistance passante Rds On: 0.09 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 16 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: MDmesh PpwerMOSFET. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Tension Vds(max): 650V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Idm--180Ap (pulsed). Protection G-S: non
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