Transistor IRFB3207

Transistor IRFB3207. Transistor. C (in): 6920pF. C (out): 600pF. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: Rectification synchrone à haut rendement dans SMPS. Id(imp): 670A. Id (T=100°C): 60.4k Ohms. Id (T=25°C): 170A. Idss (maxi): 250uA. Idss (min): 20uA. Dissipation de puissance maxi: 300W. Résistance passante Rds On: 3.3M Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 55 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Tension Vds(max): 75V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Nombre de connexions: 3. Unité de conditionnement: 50. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.