Transistor STP3NB80

Transistor STP3NB80. Transistor. C (in): 440pF. C (out): 60pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 650 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 10.4A. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2.6A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Dissipation de puissance maxi: 90W. Résistance passante Rds On: 4.6 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 15 ns. Td(on): 15 ns. Technologie: PowerMESH™ MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.