Transistor STP3NK80Z

Transistor STP3NK80Z. Transistor. C (in): 485pF. C (out): 57pF. Type de canal: N. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 384 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: très haut rapport dv/dt, pour applications de commutation. Id(imp): 10A. Id (T=100°C): 1.57A. Id (T=25°C): 2.5A. Idss (maxi): 50uA. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: P3NK80Z. Dissipation de puissance maxi: 70W. Résistance passante Rds On: 3.8 Ohms. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 36ns. Td(on): 17 ns. Technologie: SuperMESH™ Power MOSFET. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3V. Protection drain-source: oui. Protection G-S: oui. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 05:25.