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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680

Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680
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Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V - BD680. Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. RoHS: oui. Résistance B: oui. Diode BE: non. Résistance BE: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. C (in): TO-126. C (out): SOT-32. Diode CE: oui. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Fonction: hFE 750. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD679. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP. Produit d'origine constructeur Stmicroelectronics. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 22:25.

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BD682

BD682

Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Boîtier: soudure sur ...
BD682
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD682. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681. Type de transistor: PNP
BD682
Transistor PNP, soudure sur circuit imprimé, TO-126, SOT-32, 100V, 4A, 100V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-126. Boîtier (norme JEDEC): SOT-32. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 100V. Courant de collecteur Ic [A], max.: 4A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 100V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor PNP Darlington de puissance. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: BD682. Dissipation maximale Ptot [W]: 40W. Plage de température de fonctionnement min (°C): -65°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Fréquence de coupure ft [MHz]: NF-L. Dissipation de puissance maxi: 40W. Spec info: transistor complémentaire (paire) BD681. Type de transistor: PNP
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Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-12...
BD680-DIV
Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
BD680-DIV
Transistor PNP, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Courant de collecteur: 4A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Transistor Darlington?: oui. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 10 MHz. Dissipation de puissance maxi: 40W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Type de transistor: PNP
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