Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, D17/C, 50mA - 2SC2632

Transistor NPN, 0.14A, TO-126, 180V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 0.14A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 180V. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 150 MHz. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 100. Ic(puls): 0.2A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 10W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1209. Diode BE: non. Diode CE: non

Transistor NPN, soudure sur circuit imprimé, TO-92, 70mA, TO-92M ( 9mm ), 160V. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Courant de collecteur Ic [A], max.: 70mA. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. RoHS: oui. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 2SC2910. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 180V/160V. Fréquence de coupure ft [MHz]: 400. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type de transistor: NPN. Vcbo: 180V. Tension de saturation VCE(sat): 0.08V. Vebo: 5V. Nombre de connexions: 3. Plage de température de fonctionnement min (°C): 70mA. Plage de température de fonctionnement max (°C): 140mA. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SA1208

Transistor NPN, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Courant de collecteur: 0.05A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non