Transistor KSC2310-Y

Transistor KSC2310-Y. Transistor. C (out): 3.5pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 100 MHz. Gain hFE maxi: 240. Gain hFE mini: 120. Courant de collecteur: 0.05A. Marquage sur le boîtier: C2310 Y. Dissipation de puissance maxi: 0.8W. RoHS: non. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92L (9mm magas). Type de transistor: NPN. Vcbo: 200V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 150V. Vebo: 5V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 12:25.