En stock
Harris
Transistor MOSFET canal P -50V -8A RFD8P05SM
Référence produit : RFD8P05SM
Prix dégressifs — Économisez en quantité
| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 2.16 € | — |
| 100+Meilleur prix | 2.08 € | -4% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | -50V |
| Courant de drain continu (Id) | -8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.25 Ohm (max) |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -2V à -4V |
| Charge de grille (Qg) | 18 nC (typ) |
Description technique du produit (RFD8P05SM):
Transistor MOSFET canal P -50V -8A RFD8P05SM. Le RFD8P05SM est un MOSFET de puissance à canal P conçu pour des applications de commutation et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une commutation rapide.
