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Infineon Technologies
Transistor MOSFET canal P -60V -8A SPD08P06P
Référence produit : SPD08P06P
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1+Meilleur prix | 1.38 € | — |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | -60V |
| Courant de drain continu | -8A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.25 Ohm (max) à Vgs = -10V |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | -2V à -4V |
| Charge de grille (Qg) | 10 nC (typique) |
Description technique du produit (SPD08P06P):
Transistor MOSFET canal P -60V -8A SPD08P06P. Le SPD08P06P est un transistor MOSFET à canal P de puissance, conçu pour des applications de commutation et de gestion de l'énergie. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée, le rendant adapté aux convertisseurs DC/DC, aux contrôleurs de moteur et à la gestion de batterie.