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Stmicroelectronics

Transistor MOSFET Canal N 600V 2.5A STP3NA60

Référence produit : STP3NA60
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)600V
Courant de drain continu (Id)2.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))2.8 Ohm (max) à Vgs=10V
Tension de seuil (Vgs(th))2.5V - 4.5V
Charge de grille (Qg)10 nC (typ)

Description technique du produit (STP3NA60):

Transistor MOSFET Canal N 600V 2.5A STP3NA60. Le STP3NA60 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation haute tension et haute vitesse. Il offre une faible résistance à l'état passant et une faible charge de grille, ce qui le rend idéal pour les convertisseurs de puissance et les alimentations à découpage.