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Stmicroelectronics
Transistor MOSFET Canal N 600V 2.7A STP3NB60
Référence produit : STP3NB60
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.44 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.33 € | -8% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 600V |
| Courant de drain continu (Id) | 2.7A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 2.8 Ohm |
| Tension de seuil de grille (Vgs(th)) | 2.5V - 4.5V |
| Charge de grille totale (Qg) | 10 nC |
Description technique du produit (STP3NB60):
Transistor MOSFET Canal N 600V 2.7A STP3NB60. Le STP3NB60 est un MOSFET de puissance à canal N conçu pour les applications de commutation à haute tension et haute vitesse, offrant une faible résistance à l'état passant et une charge de grille optimisée.