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Transistor MOSFET Canal N 500V 4.5A IRF830APBF

Référence produit : IRF830APBF
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source500V
Courant de drain4.5A
Résistance à l'état passant Rds(on)1.5 Ohm
Tension de seuil Vgs(th)2.0V - 4.0V
Charge de grille Qg18 nC (typique)

Description technique du produit (IRF830APBF):

Transistor MOSFET Canal N 500V 4.5A IRF830APBF. Transistor MOSFET de puissance à canal N, optimisé pour les applications de commutation rapide et de gestion de puissance.