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Transistor MOSFET Canal N 500V 4.5A IRF830

Référence produit : IRF830
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Caractéristiques techniques

5 paramètres
Tension drain-source (Vds)500V
Courant de drain continu (Id)4.5A
Résistance à l'état passant (Rds(on))1.5 Ohm (max)
Tension de seuil (Vgs(th))2V à 4V
Charge de grille (Qg)18 nC (typ.)

Description technique du produit (IRF830):

Transistor MOSFET Canal N 500V 4.5A IRF830. Le IRF830 est un transistor MOSFET de puissance à canal N conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.