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Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRF640N
Référence produit : IRF640N
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|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.16 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.04 € | -10% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source | 200V |
| Courant de drain continu | 18A |
| Résistance à l'état passant | 0.18 Ohm (max) |
| Tension de seuil de grille | 2.0V - 4.0V |
| Charge de grille totale | 63 nC (typ.) |
Description technique du produit (IRF640N):
Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRF640N. Le IRF640N est un transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance. Il offre une faible résistance à l'état passant et une capacité de courant élevée.
