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Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRF640
Référence produit : IRF640
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| Quantité | Prix unitaire | Economisez |
|---|---|---|
| 1 – 99 | 1.51 € | — |
| 100+Meilleur prix | 1.38 € | -9% |
Caractéristiques techniques
5 paramètres| Tension drain-source (Vds) | 200V |
| Courant de drain continu (Id) | 18A |
| Résistance à l'état passant (Rds(on)) | 0.18 Ohm |
| Tension de seuil (Vgs(th)) | 2V-4V |
| Charge de grille (Qg) | 63nC |
Description technique du produit (IRF640):
Transistor MOSFET Canal N 200V 18A IRF640. Transistor MOSFET de puissance à canal N, conçu pour des applications de commutation rapide et de gestion de puissance.