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Transistor KSC5027-O

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Transistor KSC5027-O. Transistor. C (out): 60pF. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 50. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 15 MHz. Fonction: Commutation à haute vitesse. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 20. Courant de collecteur: 3A. Ic(puls): 10A. Marquage sur le boîtier: KSC5027 (O). Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 50W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.3us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 15/01/2025, 19:25.

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