Transistor BUL216

Transistor BUL216. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 6A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 90W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 800V. Vebo: 9V. Fonction: commutation rapide haute tension, pour alimentations à découpage. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 02:25.