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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Semi-conducteurs Transistors Transistors IGBT

Transistor IGBT HGTG20N60A4

Transistor IGBT HGTG20N60A4
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Transistor IGBT HGTG20N60A4. Transistor IGBT. RoHS: oui. Famille de composants: transistor IGBT. Boîtier: soudure sur circuit imprimé. Boîtier: TO-247. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Marquage du fabricant: 20N60A4. Tension collecteur-émetteur Uce [V]: 600V. Courant de collecteur Ic [A]: 70A. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 15 ns. Délai de coupure tf[nsec.]: 73 ns. Tension de rupture de grille Ugs [V]: 7V. Dissipation maximale Ptot [W]: 290W. Courant de collecteur maxi (A): 280A. Plage de température de fonctionnement min (°C): -55°C. Plage de température de fonctionnement max (°C): +150°C. Quantité en stock actualisée le 19/04/2025, 20:25.

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Transistor canal N, 60A, TO-247, TO-247 ( AC ), 600V. Ic(T=100°C): 60A. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247 ( AC ). Tension collecteur/émetteur Vceo: 600V. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Unité de conditionnement: 30. Fonction: SMPS Series IGBT. Courant de collecteur: 75A. Ic(puls): 240A. Marquage sur le boîtier: G30N60A4. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 463W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 150 ns. Td(on): 25 ns. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension de saturation VCE(sat): 1.8V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 2.6V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 4.5V. Tension grille - émetteur VGE(th)max.: 7V. Diode CE: non. Diode au Germanium: non
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