Transistor IKW40N120H3

Transistor IKW40N120H3. Transistor. C (in): 2330pF. C (out): 185pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 200 ns. Fonction: transistor IGBT de technologie 'Trench and Fieldstop'. Courant de collecteur: 80A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 40A. Marquage sur le boîtier: K40H1203. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 483W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 290 ns. Td(on): 30 ns. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247N. Température de fonctionnement: -40...+175°C. Tension de saturation VCE(sat): 2.05V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 1200V. Tension grille - émetteur VGE: 20V. Tension grille - émetteur VGE(th) min.: 5.8V. Diode CE: oui. Diode au Germanium: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 14:25.