Quantité | HT | TTC |
---|---|---|
1 - 4 | 2.82€ | 3.38€ |
5 - 9 | 2.68€ | 3.22€ |
10 - 24 | 2.59€ | 3.11€ |
25 - 49 | 2.54€ | 3.05€ |
50 - 95 | 2.48€ | 2.98€ |
Quantité | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 2.82€ | 3.38€ |
5 - 9 | 2.68€ | 3.22€ |
10 - 24 | 2.59€ | 3.11€ |
25 - 49 | 2.54€ | 3.05€ |
50 - 95 | 2.48€ | 2.98€ |
Transistor canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V - SPD08N50C3. Transistor canal N, 4.6A, 7.6A, 100uA, 0.50 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 560V. Id (T=100°C): 4.6A. Id (T=25°C): 7.6A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.50 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 560V. C (in): 750pF. C (out): 350pF. Type de canal: N. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 370 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low effective capacitance'. Protection G-S: non. Id(imp): 22.8A. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 08N50C3. Nombre de connexions: 2. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 60 ns. Td(on): 6 ns. Technologie: Cool Mos POWER transistor. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Produit d'origine constructeur Infineon Technologies. Quantité en stock actualisée le 08/06/2025, 18:25.
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