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Semi-conducteurs Transistors Transistors FET et MOSFET canal N

Transistor canal N, SO, SO-8 - IRF7341

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Transistor canal N, SO, SO-8 - IRF7341. Transistor canal N, SO, SO-8. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Type de canal: N. Conditionnement: tube en plastique. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2W. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Technologie: HEXFET Power MOSFET. Quantité par boîtier: 2. Unité de conditionnement: 95. Fonction: tf 13ns, td(on) 8.3ns, td(off) 32ns. Quantité en stock actualisée le 22/04/2025, 16:25.

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