Transistor FDS4435A

Transistor FDS4435A. Transistor. C (in): 2010pF. C (out): 590pF. Type de canal: P. Quantité par boîtier: 1. Trr Diode (Min.): 36ns. Type de transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. Id (T=25°C): 9A. Idss (maxi): 10uA. Idss (min): 1uA. Nombre de connexions: 8. Dissipation de puissance maxi: 2.5W. Résistance passante Rds On: 0.015 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Td(off): 100 ns. Td(on): 12 ns. Boîtier: SO. Boîtier (selon fiche technique): SO-8. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 30 v. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: canal P. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 03:25.