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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor BUT11A

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Transistor BUT11A. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: kHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 35. Gain hFE mini: 10. Courant de collecteur: 5A. Ic(puls): 10A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 83W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 4us. Tf(min): 0.8us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Type de transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Tension de saturation VCE(sat): 1.3V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 450V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 18:25.

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