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Transistor 2SC815

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Transistor 2SC815. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 200 MHz. Gain hFE maxi: 232. Gain hFE mini: 50. Courant de collecteur: 0.2A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.4W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Tension de saturation VCE(sat): 0.15V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Vebo: 5V. Diode CE: oui. Quantité en stock actualisée le 14/01/2025, 10:25.

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