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Composants et matériels électroniques, pour entreprises et particuliers
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Transistor 2SA1013

Transistor 2SA1013
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Transistor 2SA1013. Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 50 MHz. Fonction: CTV-NF/VA. Gain hFE maxi: 320. Gain hFE mini: 60. Courant de collecteur: 1A. Marquage sur le boîtier: A1013. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: 'Epitaxial Silicon Transistor'. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Tension de saturation VCE(sat): 1.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SC2383. Diode BE: non. Diode CE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 15:25.

Documentation technique

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Transistor. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Fonction: usage général. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1A. Ic(puls): 2A. Marquage sur le boîtier: B647. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92M ( 9mm ). Type de transistor: PNP. Vcbo: 120V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD667. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. C (out): 27pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 140 MHz. Gain hFE maxi: 200. Gain hFE mini: 100. Courant de collecteur: 1.5A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 1W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Type de transistor: PNP. Vcbo: 180V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SD669A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Diode BE: non. Diode CE: non
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