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Semi-conducteurs Transistors

Transistor ST13005A

Transistor ST13005A
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Transistor ST13005A. Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 32. Gain hFE mini: 15. Courant de collecteur: 4A. Ic(puls): 8A. Marquage sur le boîtier: 13005A. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 75W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Quantité en stock actualisée le 12/01/2025, 22:25.

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ST13007A

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Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tensi...
ST13007A
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 16. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 13007A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui
ST13007A
Transistor. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: Commutation rapide haute tension. Gain hFE maxi: 30. Gain hFE mini: 16. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Marquage sur le boîtier: 13007A. Nombre de connexions: 3. Température: +150°C. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1.2V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Quantité par boîtier: 1. Diode BE: non. Diode CE: oui
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MJE13007

MJE13007

Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MH...
MJE13007
Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. C (out): 80pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 14 MHz. Fonction: circuits de commutation. Gain hFE maxi: 40. Gain hFE mini: 8. Courant de collecteur: 8A. Ic(puls): 16A. Nombre de connexions: 3. Dissipation de puissance maxi: 80W. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Technologie: Transistor de puissance bipolaire. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.23us. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Température de fonctionnement: -65...+150°C. Vcbo: 700V. Tension de saturation VCE(sat): 1V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Vebo: 9V. Spec info: Commutation à haute vitesse. Diode BE: non. Diode CE: non
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1.99€ TTC
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MJE13005

MJE13005

Transistor. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz....
MJE13005
Transistor. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non
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Transistor. C (out): 3pF. Quantité par boîtier: 1. Matériau semi-conducteur: silicium. FT: 4 MHz. Fonction: S-L. Courant de collecteur: 4A. Dissipation de puissance maxi: 75W. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Type de transistor: NPN. Vcbo: 700V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 400V. Diode BE: non. Diode CE: non
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