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Transistor SPW11N80C3

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Transistor SPW11N80C3. Transistor. C (in): 1600pF. C (out): 800pF. Type de canal: N. Trr Diode (Min.): 550 ns. Type de transistor: MOSFET. Fonction: 'Extreme dv/dt rated Ultra low gate charge'. Id(imp): 33A. Id (T=100°C): 7.1A. Id (T=25°C): 11A. Idss (maxi): 200uA. Idss (min): 0.5uA. Marquage sur le boîtier: 11N80C3. Dissipation de puissance maxi: 156W. Résistance passante Rds On: 0.39 Ohms. RoHS: oui. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Td(off): 72 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: Cool Mos. Boîtier: TO-247. Boîtier (selon fiche technique): TO-247. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension Vds(max): 800V. Tension grille/source Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.9V. Vgs(th) min.: 2.1V. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Protection drain-source: oui. Protection G-S: non. Quantité en stock actualisée le 13/01/2025, 10:25.

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