Rechercher "phototransistor bpv11"

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BPV11F

BPV11F

Récepteur IR BPV11F. Angle de détection: 15°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 5mm (T-1 3/4). Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Couleur: infrarouge. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±15°. Diamètre extérieur [mm]: 5mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 5.75mm. Longueur d'onde (dominante): 930nm. Longueur d'onde dominante [nm]: 930nm. Longueur d'onde: 950nm. Longueur extérieure [mm]: 8.6mm. Nombre de bornes: 3. Remarque: 930nm 15°. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 70V. Épaisseur extérieure [mm]: 5.75mm...

0.90€
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Quantité en stock: 148
BPW17N

BPW17N

Récepteur IR BPW17N. Angle de détection: 12.5°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 1.8mm (T-3/4). C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Courant de collecteur: 50mA. Courant maxi: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Diamètre extérieur [mm]: 1.8mm. Diamètre/dimensions: 1.8mm. Diamètre: 1.8mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Famille de composants: phototransistor. Fonction: Phototransistor. Id(imp): 100mA. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Longueur d'onde (dominante): 825nm. Longueur d'onde dominante [nm]: 825nm. Longueur d'onde: 780nm. Longueur extérieure [mm]: 3.3mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Remarque: t(on) 4.8us, t(off) 5.0us. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 4.8us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. VECO: 5V. Épaisseur extérieure [mm]: 3.4mm...

0.64€
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Quantité en stock: 502
4N25

4N25

Optocoupleur 4N25. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 20...50 %. CTR@If: 50%@10mA. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Délai de coupure tf [µsec.]: 3us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Information: n/a. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de canaux: 1. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Output CurrentmA: 50mA. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Série: n/a. Taux de transfert CTR: 20%. Taux: 20 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Temps de commutation: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension (collecteur - émetteur): 70V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension d'isolation: 5.3kV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type d'élément semi-conducteur: optocoupleur. Type de sortie: transistor. Type: sortie à transistor. VRRM: 5000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.41€
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Quantité en stock: 426
CNY64

CNY64

Optocoupleur CNY64. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-4. Boîtier: DIP. CTR: 50...300 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 1.5A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 75mA. Dissipation de puissance maxi: 130mW. Distance entre connexions (pas): 10.16mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 42us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: Sortie phototransistor à très haute tension d'isolement. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 4. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 4. Puissance de la diode: 120mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor. Taux: 50 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 25us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Tension d'isolation Uiso [kV]: 8.2 kV. Tension de saturation VCE(sat): 0.3V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2.7us. Tr: 2.4us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur, haute tension. Type de sortie: transistor NPN. VECO: 7V. VRRM: 8200V. [V]: 32V. [intensité mA]: 10mA...

2.35€
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Quantité en stock: 107
TCST2103

TCST2103

Capteur optique TCST2103. CTR: 10 - 20 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 100mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: Capteur optique transmissif avec sortie phototransistor. Ic(puls): 200mA. Longueur d'onde (dominante): 950nm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Spec info: ouverture 3.1mm, écart du capteur 0.6mm. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de seuil de la diode: 6V. Tr: 8...10us. Type d'optocoupleur: fourche optique. Type de capteur: Optocoupleur. VECO: 7V...

1.49€
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Quantité en stock: 55
4N27

4N27

Optocoupleur 4N27. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 10...30 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Délai de coupure tf [µsec.]: 2us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: Iceo 10nA. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Taux: 10%. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 2us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type de sortie: transistor NPN. VECO: 7V. VRRM: 5000V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.44€
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Quantité en stock: 115
4N33M

4N33M

Optocoupleur 4N33M. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 500 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 80mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Gain hFE mini: 5000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 150mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor darlington. Spec info: ton 5us, toff 100us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension de seuil de la diode: 1.2V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V...

0.60€
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BPX81

BPX81

Récepteur IR BPX81. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 2.4x2.4mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Courant de collecteur: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±18°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 6us. Famille de composants: phototransistor. Ic(puls): 200mA. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 2.4mm. Nombre de bornes: 2. Remarque: photo-transistor. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température de fonctionnement: -40...+80°C. Température maxi: +80°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Tr: 7us. Épaisseur extérieure [mm]: 3.6mm...

1.99€
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TCST1103

TCST1103

Capteur optique TCST1103. CTR: 10...20 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 4mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: Capteur optique transmissif avec sortie phototransistor. Ic(puls): 200mA. Longueur d'onde (dominante): 950nm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 4. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Spec info: ouverture 3.1mm, écart du capteur 1.0mm. Tension collecteur/émetteur Vceo: 70V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.4V. Tension de seuil de la diode: 6V. Type d'optocoupleur: fourche optique. Type de capteur: Optocoupleur. VECO: 7V...

1.85€
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QSE113

QSE113

Récepteur IR QSE113. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±25°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 4.44mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 880nm. Longueur extérieure [mm]: 5.08mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Épaisseur extérieure [mm]: 2.54mm...

1.47€
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4N36

4N36

Optocoupleur 4N36. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 100 %. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant IF Diode (crête): 2.5A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Délai de coupure tf [µsec.]: 10us. Famille de composants: optocoupleur. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 6. Nombre de circuits: 1. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Taux: 100 %. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 10us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension d'isolation Uiso [kV]: 5 kV. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Type d'entrée: diode LED infrarouge. Type d'optocoupleur: optocoupleur pour usage général. Type de sortie: transistor NPN. VRRM: 5300V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. [V]: 70V. [intensité mA]: 10mA...

0.46€
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MOC8101

MOC8101

Optocoupleur MOC8101. Boîtier: DIP. CTR: 50...80 %. Courant IF Diode (crête): 2.5A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, pas de connexion de base. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: switching toff 2.3us. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation VCE(sat): 0.25V. Tension de seuil de la diode: 1.25V. Tf (type): 2us. Tr: 2us. VECO: 7V. VRRM: 5300V...

0.96€
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4N28

4N28

Optocoupleur 4N28. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 10...30 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 60mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Ic(puls): 100mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 0.1W. Remarque: Iceo 10nA. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor avec base. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.5V. Tension de seuil de la diode: 1.3V. Tf (type): 2us. VECO: 7V. Vcbo: 70V. Vebo: 7V. Vrms: 5000V...

0.44€
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