Optocoupleur 4N33M. Boîtier (selon fiche technique): DIP-6. Boîtier: DIP. CTR: 500 %. Courant IF Diode (crête): 3A. Courant de collecteur: 50mA. Diode IF: 80mA. Dissipation de puissance maxi: 150mW. Fonction: sortie phototransistor, avec connexion de base. Gain hFE mini: 5000. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 6. Puissance de la diode: 150mW. RoHS: oui. Sortie: sortie transistor darlington. Spec info: ton 5us, toff 100us. Température de fonctionnement: -55...+100°C. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 1V. Tension de seuil de la diode: 1.2V. VECO: 5V. VRRM: 5300V. Vcbo: 100V. Produit d'origine constructeur: ON Semiconductor. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:29