Récepteur IR BPX81

Récepteur IR BPX81

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Récepteur IR BPX81. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 2.4x2.4mm. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Courant de collecteur: 50mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±18°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 6us. Famille de composants: phototransistor. Ic(puls): 200mA. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 850nm. Longueur extérieure [mm]: 2.4mm. Nombre de bornes: 2. Remarque: photo-transistor. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 6us. Température de fonctionnement: -40...+80°C. Température maxi: +80°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 35V. Tr: 7us. Épaisseur extérieure [mm]: 3.6mm. Produit d'origine constructeur: Osram. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:20

BPX81
22 paramètres
Boîtier
2.4x2.4mm
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de collecteur Ic [A], max.
50mA
Courant de collecteur
50mA
Demi-angle de détection δ 1/2 [°]
±18°
Délai de coupure tf [µsec.]
6us
Famille de composants
phototransistor
Ic(puls)
200mA
Largeur extérieure [mm]
2.4mm
Longueur d'onde dominante [nm]
850nm
Longueur extérieure [mm]
2.4mm
Nombre de bornes
2
Remarque
photo-transistor
RoHS
oui
Temps d'enclenchement tr [µsec.]
6us
Température de fonctionnement
-40...+80°C
Température maxi
+80°C.
Tension collecteur-émetteur Uceo [V]
32V
Tension collecteur/émetteur Vceo
35V
Tr
7us
Épaisseur extérieure [mm]
3.6mm
Produit d'origine constructeur
Osram