Récepteur IR BPW17N. Angle de détection: 12.5°. Boîtier (norme JEDEC): -. Boîtier: 1.8mm (T-3/4). C (out): 8pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 50mA. Courant de collecteur: 50mA. Courant maxi: 100mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±12°. Diamètre extérieur [mm]: 1.8mm. Diamètre/dimensions: 1.8mm. Diamètre: 1.8mm. Délai de coupure tf [µsec.]: 5us. Famille de composants: phototransistor. Fonction: Phototransistor. Id(imp): 100mA. Largeur extérieure [mm]: 2.4mm. Longueur d'onde (dominante): 825nm. Longueur d'onde dominante [nm]: 825nm. Longueur d'onde: 780nm. Longueur extérieure [mm]: 3.3mm. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 2. Remarque: t(on) 4.8us, t(off) 5.0us. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 4.8us. Température de fonctionnement: -40...+100°C. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 32V. Tension collecteur/émetteur Vceo: 32V. Tension de saturation maxi VCE(sat): 0.3V. Type de transistor: NPN. VECO: 5V. Épaisseur extérieure [mm]: 3.4mm. Produit d'origine constructeur: Vishay. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 07:20