Récepteur IR QSE113. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de collecteur Ic [A], max.: 1.5mA. Demi-angle de détection δ 1/2 [°]: ±25°. Diamètre extérieur [mm]: -. Délai de coupure tf [µsec.]: 8us. Famille de composants: phototransistor. Largeur extérieure [mm]: 4.44mm. Longueur d'onde dominante [nm]: 880nm. Longueur extérieure [mm]: 5.08mm. Nombre de bornes: 2. RoHS: oui. Temps d'enclenchement tr [µsec.]: 8us. Température maxi: +100°C.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 30 v. Épaisseur extérieure [mm]: 2.54mm. Produit d'origine constructeur: Onsemi (fairchild). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 20:48