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2SK2700

Transistor canal N 2SK2700, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 3A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 3.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 750pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Id(imp): 9A. Marquage sur le boîtier: K2700. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 110 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1100 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK2715TL

Transistor canal N 2SK2715TL, 2A, 100uA, 2A, 3 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 500V. Id (T=25°C): 2A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 2A. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Boîtier: D-PAK ( TO-252 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Tension Vds(max): 500V. C (in): 280pF. C (out): 58pF. Dissipation de puissance maxi: 20W. Fonction: Vitesse de commutation rapide. Id(imp): 6A. Marquage sur le boîtier: K2715. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 30 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 410 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

1.49€

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2SK2717

Transistor canal N 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1200pF. C (out): 20pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Id(imp): 15A. Marquage sur le boîtier: K2717. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK2723

Transistor canal N 2SK2723, 13A, 25A, 10uA, 28m Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 13A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 28m Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 830pF. C (out): 430pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Commutation à courant élevé. Id(imp): 100A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Transistor de puissance à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 60 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

3.02€

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2SK2750

Transistor canal N 2SK2750, 3.5A, 100uA, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 3.5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.7 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 800pF. C (out): 65pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter. Id(imp): 14A. Idss (min): 1uA. Marquage sur le boîtier: K2750. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 85 ns. Td(on): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

2.25€

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2SK2761

Transistor canal N 2SK2761, 5.5A, 10A, 500uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 5.5A. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 500uA. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1100pF. C (out): 170pF. Dissipation de puissance maxi: 50W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 36A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 75 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 500 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4.5V. Vgs(th) min.: 3.5V...

4.43€

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2SK2828

Transistor canal N 2SK2828, 12A, 100uA, 0.9 Ohms, TO-3P, 700V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 700V. C (in): 1850pF. C (out): 400pF. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Id(imp): 48A. Idss (min): na. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Puissance: 175W. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 140 ns. Td(on): 25 ns. Technologie: transistor MOSFET canal N. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Tf(min): TO-3P ( TO3P ). Trr Diode (Min.): 2.5us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.22€

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2SK2842

Transistor canal N 2SK2842, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.4 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 2040pF. C (out): 640pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 48A. Idss (min): na. Marquage sur le boîtier: K2842. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 180 ns. Td(on): 58 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV). Température de fonctionnement: -...+150°C. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

8.71€

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2SK2843

Transistor canal N 2SK2843, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10R1B ), 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.54 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F ( 2-10R1B ). Tension Vds(max): 600V. C (in): 2040pF. C (out): 230pF. Conditionnement: tube en plastique. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. Idss (min): na. Marquage sur le boîtier: K2843. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 190 ns. Td(on): 58 ns. Technologie: Transistor à effet de champ, type MOS (TT.MOSV). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Unité de conditionnement: 50. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK2850

Transistor canal N 2SK2850, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 200uA. Résistance passante Rds On: 1.87 Ohms. Boîtier: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Boîtier (selon fiche technique): TO-3P. Tension Vds(max): 900V. C (in): 950pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 125W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 24A. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 110 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Température de fonctionnement: -...+150°. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 900ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V...

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2SK2937

Transistor canal N 2SK2937, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. Id (T=100°C): 15A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.045 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO–220FM. Tension Vds(max): 60V. C (in): 740pF. C (out): 380pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Commutation de puissance à haute vitesse. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 100 ns. Td(on): 10 ns. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

4.95€

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2SK2968

Transistor canal N 2SK2968, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 10A. Résistance passante Rds On: 1.05 Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 900V. C (in): 2150pF. C (out): 220pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: Convertisseur DC-DC, relais et variateur de moteur. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Température: +150°C. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

13.34€

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2SK3053

Transistor canal N 2SK3053, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Id (T=100°C): 12.5A. Id (T=25°C): 25A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.028 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 60V. C (in): 790pF. C (out): 240pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Id(imp): 75A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 65 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 40 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V...

10.92€

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2SK3065

Transistor canal N 2SK3065, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. Id (T=100°C): 1.6A. Id (T=25°C): 2A. Idss (maxi): 10uA. Résistance passante Rds On: 0.32 Ohms. Boîtier: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Boîtier (selon fiche technique): SOT-89 ( MTP3 ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 160pF. C (out): 85pF. Dissipation de puissance maxi: 0.5W. Fonction: Commutation à haute vitesse. Id(imp): 8A. Marquage sur le boîtier: KE. Montage/installation: composant monté en surface (CMS). Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: sérigraphie/code CMS KE. RoHS: oui. Td(off): 120ns. Td(on): 20 ns. Technologie: MOS FET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V...

0.76€

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2SK3114

Transistor canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 550pF. C (out): 115pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: MOSFET de commutation de puissance, utilisation industrielle. Id(imp): 16A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1.3us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

4.20€

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2SK3176

Transistor canal N 2SK3176, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. Id (T=100°C): n/a. Id (T=25°C): 30A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 38m Ohms. Boîtier: TO-3PN ( 2-16C1B ). Boîtier (selon fiche technique): 2-16C1B. Tension Vds(max): 200V. C (in): 5400pF. C (out): 1900pF. Dissipation de puissance maxi: 150W. Fonction: régulateur à découpage, convertisseur DC-DC, pilote de moteur. Id(imp): 60.4k Ohms. Idss (min): 10uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 190 ns. Td(on): 55 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS-V. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 270 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V...

7.40€

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2SK3199

Transistor canal N 2SK3199, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO220F-3L. Tension Vds(max): 500V. C (in): 650pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Equivalences: FS5KM-10-AW. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 20A. Idss (min): 0.1uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 60 ns. Td(on): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 2us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

6.36€

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2SK3264-01MR

Transistor canal N 2SK3264-01MR, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 7A. Résistance passante Rds On: 1.62 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F15. Tension Vds(max): 800V. Dissipation de puissance maxi: 60W. Fonction: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power. Id(imp): 28A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

9.84€

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2SK3502-01MR

Transistor canal N 2SK3502-01MR, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 10A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.58 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1200pF. C (out): 140pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 40A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Remarque: Panasonic--B1CERR000022. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 0.75us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

12.52€

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2SK3528-01R

Transistor canal N 2SK3528-01R, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Id (T=25°C): 21A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 0.29 Ohms. Boîtier: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Boîtier (selon fiche technique): TO-3PF. Tension Vds(max): 600V. C (in): 2280pF. C (out): 290pF. Dissipation de puissance maxi: 160W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 84A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 78 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 0.7us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

9.28€

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2SK3530-01MR

Transistor canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.46 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 740pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 2.3 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V...

17.61€

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2SK3561

Transistor canal N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 32A. Marquage sur le boîtier: K3561. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V...

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2SK3562

Transistor canal N 2SK3562, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=100°C): 6A. Id (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 6A. Résistance passante Rds On: 0.9 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 24A. Marquage sur le boîtier: K3562. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 130 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Trr Diode (Min.): 1000 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

2.25€

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2SK3563

Transistor canal N 2SK3563, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 5A. Id (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (maxi): 5A. Résistance passante Rds On: 1.35 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 550pF. C (out): 70pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 20A. Marquage sur le boîtier: K3563. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 50 ns. Td(on): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Trr Diode (Min.): 1400 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET...

3.73€

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