Transistor canal N 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Transistor canal N 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V

Quantité
Prix unitaire
1-4
10.57€
5-9
9.45€
10-24
8.56€
25+
7.88€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 9

Transistor canal N 2SK2717, 5A, 100uA, 2.3 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 2.3 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 900V. C (in): 1200pF. C (out): 20pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension. Id(imp): 15A. Marquage sur le boîtier: K2717. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 200 ns. Td(on): 90 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1300 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK2717
29 paramètres
Id (T=25°C)
5A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
2.3 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
900V
C (in)
1200pF
C (out)
20pF
Dissipation de puissance maxi
45W
Fonction
Convertisseurs DC-DC à commutation haute vitesse et haute tension
Id(imp)
15A
Marquage sur le boîtier
K2717
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
200 ns
Td(on)
90 ns
Technologie
Transistor à effet de champ
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1300 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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