Transistor canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

Transistor canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V

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1-2
17.38€
3-4
16.40€
5-9
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Transistor canal N 2SK3530-01MR, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Id (T=100°C): 7A. Id (T=25°C): 7A. Idss (maxi): 250uA. Résistance passante Rds On: 1.46 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 800V. C (in): 740pF. C (out): 105pF. Dissipation de puissance maxi: 70W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 28A. Idss (min): 25uA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 40 ns. Td(on): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 2.3 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Produit d'origine constructeur: Fuji Electric. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3530-01MR
29 paramètres
Id (T=100°C)
7A
Id (T=25°C)
7A
Idss (maxi)
250uA
Résistance passante Rds On
1.46 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
800V
C (in)
740pF
C (out)
105pF
Dissipation de puissance maxi
70W
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
28A
Idss (min)
25uA
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
40 ns
Td(on)
21 ns
Technologie
Super FAP-G Series POWER MOSFET
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
2.3 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
5V
Vgs(th) min.
3V
Produit d'origine constructeur
Fuji Electric

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