Transistor canal N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Transistor canal N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V

Quantité
Prix unitaire
1-4
2.59€
5-24
2.25€
25-49
2.03€
50+
1.84€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 35

Transistor canal N 2SK3561, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Id (T=100°C): 8A. Id (T=25°C): 8A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 0.75 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 500V. C (in): 1050pF. C (out): 110pF. Dissipation de puissance maxi: 40W. Fonction: Alimentation à découpage (SMPS). Id(imp): 32A. Marquage sur le boîtier: K3561. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 38 ns. Td(on): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Température: +150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1200 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3561
30 paramètres
Id (T=100°C)
8A
Id (T=25°C)
8A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
0.75 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
500V
C (in)
1050pF
C (out)
110pF
Dissipation de puissance maxi
40W
Fonction
Alimentation à découpage (SMPS)
Id(imp)
32A
Marquage sur le boîtier
K3561
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
38 ns
Td(on)
26 ns
Technologie
Field Effect (TT-MOSVI)
Température
+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1200 ns
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Vgs(th) max.
4 v
Vgs(th) min.
2V
Produit d'origine constructeur
Toshiba

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