Transistor canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Transistor canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V

Quantité
Prix unitaire
1-4
4.15€
5-24
3.67€
25-49
3.32€
50-99
3.08€
100+
2.99€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 4

Transistor canal N 2SK3114, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 100uA. Résistance passante Rds On: 1.6 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220F. Tension Vds(max): 600V. C (in): 550pF. C (out): 115pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: MOSFET de commutation de puissance, utilisation industrielle. Id(imp): 16A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Td(off): 35 ns. Td(on): 12 ns. Technologie: Transistor MOSFET. Température: +150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 2.5V. Tension grille/source Vgs: 30 v. Trr Diode (Min.): 1.3us. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Nec. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SK3114
27 paramètres
Id (T=25°C)
4A
Idss (maxi)
100uA
Résistance passante Rds On
1.6 Ohms
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220F
Tension Vds(max)
600V
C (in)
550pF
C (out)
115pF
Dissipation de puissance maxi
30W
Fonction
MOSFET de commutation de puissance, utilisation industrielle
Id(imp)
16A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
non
Protection drain-source
oui
Quantité par boîtier
1
RoHS
oui
Td(off)
35 ns
Td(on)
12 ns
Technologie
Transistor MOSFET
Température
+150°C
Tension grille/source VGS (off) min.
2.5V
Tension grille/source Vgs
30 v
Trr Diode (Min.)
1.3us
Type de canal
N
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Nec

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