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2SD863

2SD863

Transistor NPN 2SD863, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Courant de collecteur: 1A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.9W. FT: 150 MHz. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB764. Type de transistor: NPN...

0.61€
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2SD880-PMC

2SD880-PMC

Transistor NPN 2SD880-PMC, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Courant de collecteur: 3A. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 30W. FT: 3 MHz. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN...

0.94€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 8
2SD882

2SD882

Transistor NPN 2SD882, TO-126 (TO-225, SOT-32), 3A, TO-126, 30 v. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Courant de collecteur: 3A. Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 30 v. C (out): 45pF. Conditionnement: tubus. Courant de collecteur Ic [A]: 3A. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 10W. FT: 90 MHz. Fonction: -. Fréquence: 90MHz. Gain hFE maxi: 400. Gain hFE mini: 60. Ic(puls): 7A. Marquage sur le boîtier: D882. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Polarité: bipolaire. Puissance: 10W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Spec info: transistor complémentaire (paire) 2SB772. Température de fonctionnement: -...+150°C. Tension (collecteur - émetteur): 40V. Tension de saturation VCE(sat): 0.5V. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 5V...

0.86€
+25 rapidement
Equivalence disponible
Quantité en stock: 86
2SD947

2SD947

Transistor NPN 2SD947, 2A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 40V. Courant de collecteur: 2A. Boîtier: TO-126 (TO-225, SOT-32). Boîtier (selon fiche technique): TO-126. Tension collecteur/émetteur Vceo: 40V. Dissipation de puissance maxi: 5W. FT: 150 MHz. Fonction: hFE 4000. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Quantité par boîtier: 1. Spec info: TO-126. Transistor Darlington?: oui. Type de transistor: NPN...

3.35€
Quantité en stock: 5
2SD965

2SD965

Transistor NPN 2SD965, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Courant de collecteur: 5A. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension collecteur/émetteur Vceo: 20V. C (out): 50pF. Diode BE: non. Diode CE: non. Dissipation de puissance maxi: 0.75W. FT: 150 MHz. Fonction: amplificateur de sortie AF. Gain hFE maxi: 600. Gain hFE mini: 340. Matériau semi-conducteur: silicium. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Technologie: 'Epitaxial Planar Transistor'. Température: +150°C. Tension de saturation VCE(sat): 0.35V. Transistor Darlington?: non. Type de transistor: NPN. Vcbo: 40V. Vebo: 7V...

0.26€
Quantité en stock: 29
2SD969

2SD969

Transistor NPN 2SD969, D8/C, 500mA. Boîtier: D8/C. Courant de collecteur Ic [A], max.: 500mA. Boîtier (norme JEDEC): -. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Dissipation maximale Ptot [W]: 0.6W. Famille de composants: Transistor bipolaire NPN. Fréquence de coupure ft [MHz]: -. Marquage du fabricant: -. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Température maxi: -.. Tension collecteur-émetteur Uceo [V]: 25V/20V...

0.44€
Quantité en stock: 6
2SJ119

2SJ119

Transistor canal P 2SJ119, TO-3P, -160V. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -160V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1050pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: J119. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -5V...

19.38€
Quantité en stock: 3
2SJ407

2SJ407

Transistor canal P 2SJ407, 5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 200V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 200V. C (in): 800pF. C (out): 270pF. Fonction: transistor MOSFET canal P. Id(imp): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.8 Ohms. Technologie: V-MOS (F). Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.48€
Produit obsolète
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2SJ449

2SJ449

Transistor canal P 2SJ449, 6A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 1040pF. C (out): 360pF. Dissipation de puissance maxi: 35W. Fonction: SWITCHING, POWER MOS FET. Id(imp): 24A. Idss (min): -. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.55 Ohms. Td(off): 47 ns. Td(on): 24 ns. Technologie: P-CHANNEL POWER MOS FET. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source VGS (off) min.: 4 v. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2.44€
Quantité en stock: 3
2SJ512

2SJ512

Transistor canal P 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 800pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: 'Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance'. Id(imp): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 205 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

2.62€
Quantité en stock: 17
2SJ584

2SJ584

Transistor canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

1.82€
Quantité en stock: 101
2SJ598

2SJ598

Transistor canal P 2SJ598, 12A, 12A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251 ( I-Pak ), 60V. Id (T=25°C): 12A. Idss (maxi): 12A. Boîtier: TO-251 ( I-Pak ). Boîtier (selon fiche technique): TO-251 ( I-Pak ). Tension Vds(max): 60V. C (in): 720pF. C (out): 150pF. Dissipation de puissance maxi: 23W. Fonction: diode de protection intégrée. Id(imp): 30A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.13 Ohms. Td(off): 35 ns. Td(on): 7 ns. Technologie: Transistor à effet de champ MOS à canal P. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 50 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...

5.77€
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2SJ79

2SJ79

Transistor canal P 2SJ79, 500mA, 500mA, TO-220, TO-220AB, 200V. Id (T=25°C): 500mA. Idss (maxi): 500mA. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 200V. C (in): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: transistor complémentaire (paire) 2SK216. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Protection G-S: oui. Protection drain-source: oui. Quantité par boîtier: 1. Température de fonctionnement: -40...+150°C. Tension grille/source Vgs: 15V. Type de canal: P. Type de transistor: FET...

10.17€
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2SK104

2SK104

Transistor canal N 2SK104, 20mA, 2.5mA, 2.5mA, TO-92, TO-92, 30 v. Id (T=25°C): 20mA. Idss: 2.5mA. Idss (maxi): 2.5mA. Boîtier: TO-92. Boîtier (selon fiche technique): TO-92. Tension Vds(max): 30 v. Dissipation de puissance maxi: 0.25W. Fonction: amplification HF. Idss (min): 2.5mA. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Quantité par boîtier: 1. Type de canal: N. Type de transistor: FET...

3.33€
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2SK1117

2SK1117

Transistor canal N 2SK1117, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220, TO-220, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220. Boîtier (selon fiche technique): TO-220. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 100W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Td(off): 8.5 ns. Td(on): 4 ns. Technologie: V-MOS. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.77€
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Quantité en stock: 7
2SK1118-PMC

2SK1118-PMC

Transistor canal N 2SK1118-PMC, 6A, 300uA, 0.95 Ohms, TO-220FP, TO-220FP, 600V. Id (T=25°C): 6A. Idss (maxi): 300uA. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 600V. C (in): 1400pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 45W. Fonction: transistor MOSFET N. Id(imp): 24A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Spec info: Low Leakage Current Low Drain Source ON resistance. Td(off): 85 ns. Td(on): 40 ns. Technologie: Transistor à effet de champ. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 460 ns. Type de canal: N. Type de transistor: MOSFET. Vgs(th) min.: 2V...

2.77€
Equivalence disponible
Quantité en stock: 8