Transistor canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Transistor canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V

Quantité
Prix unitaire
1-4
1.80€
5-24
1.49€
25-49
1.25€
50+
1.13€
Quantité en stock: 101

Transistor canal P 2SJ584, 4.5A, 100uA, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 4.5A. Idss (maxi): 100uA. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 450pF. C (out): 120pF. Dissipation de puissance maxi: 25W. Fonction: Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us. Id(imp): 18A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 0.95 Ohms. Td(off): 52 ns. Td(on): 30 ns. Technologie: transistor MOSFET au silicium. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 30 v. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Sanyo. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31

Documentation technique (PDF)
2SJ584
24 paramètres
Id (T=25°C)
4.5A
Idss (maxi)
100uA
Boîtier
TO-220FP
Boîtier (selon fiche technique)
TO-220FP
Tension Vds(max)
250V
C (in)
450pF
C (out)
120pF
Dissipation de puissance maxi
25W
Fonction
Ultrahigh-Speed Switching, IDP 18App/10us
Id(imp)
18A
Montage/installation
montage traversant pour circuit imprimé
Nombre de connexions
3
Protection G-S
oui
Protection drain-source
diode
Quantité par boîtier
1
Résistance passante Rds On
0.95 Ohms
Td(off)
52 ns
Td(on)
30 ns
Technologie
transistor MOSFET au silicium
Température de fonctionnement
-55...+150°C
Tension grille/source Vgs
30 v
Type de canal
P
Type de transistor
MOSFET
Produit d'origine constructeur
Sanyo