Transistor NPN 2SD855, 1A, 60V. Courant de collecteur: 1A. Tension collecteur/émetteur Vceo: 60V. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: -. Matériau semi-conducteur: silicium. Quantité par boîtier: 1. Type de transistor: NPN. Produit d'origine constructeur: Matsushita. Quantité en stock actualisée le 06/11/2025, 09:45