Transistor canal P 2SJ512, 5A, 5A, TO-220FP, TO-220FP, 250V. Id (T=25°C): 5A. Idss (maxi): 5A. Boîtier: TO-220FP. Boîtier (selon fiche technique): TO-220FP. Tension Vds(max): 250V. C (in): 800pF. C (out): 250pF. Dissipation de puissance maxi: 30W. Fonction: 'Enhancement Mode Low Drain-Source On Resistance'. Id(imp): 20A. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de connexions: 3. Protection G-S: oui. Protection drain-source: diode. Quantité par boîtier: 1. Résistance passante Rds On: 1 Ohm. Td(off): 70 ns. Td(on): 35 ns. Technologie: Silicon P Chanel Mos Fet. Température de fonctionnement: -55...+150°C. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 205 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET. Produit d'origine constructeur: Toshiba. Quantité en stock actualisée le 31/10/2025, 09:31