Transistor canal P 2SJ119, TO-3P, -160V. Boîtier: TO-3P. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -160V. Capacité de grille Ciss [pF]: 1050pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ -4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 100W. Délai de coupure tf[nsec.]: 90 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: J119. Nombre de bornes: 3. RoHS: non. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 20 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -5V. Produit d'origine constructeur: Hitachi. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:36