IRF9510PBF
Transistor canal P IRF9510PBF, TO-220, -100V, 4A, -100V, 4A, 500uA, TO-220AB, 100V. Boîtier: TO-220. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 4A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Id (T=25°C): 4A. Idss (maxi): 500uA. Boîtier (selon fiche technique): TO-220AB. Tension Vds(max): 100V. C (in): 200pF. C (out): 94pF. Capacité de grille Ciss [pF]: 200pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1.2 Ohms @ -2.4A. Dissipation de puissance maxi: 43W. Dissipation maximale Ptot [W]: 43W. Délai de coupure tf[nsec.]: 15 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Fonction: commutation rapide. Id (T=100°C): 2.8A. Id(imp): 16A. Idss (min): 100uA. Marquage du fabricant: IRF9510PBF. Montage/installation: montage traversant pour circuit imprimé. Nombre de bornes: 3. Protection G-S: non. Protection drain-source: diode zéner. Puissance: 43W. Quantité par boîtier: 1. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 1.2 Ohms. Td(off): 15 ns. Td(on): 10 ns. Technologie: V-MOS. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 10 ns. Température de fonctionnement: -55...+175°C. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension grille/source Vgs: 20V. Trr Diode (Min.): 82 ns. Type de canal: P. Type de transistor: MOSFET...
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