Transistor canal P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V

Transistor canal P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V

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Transistor canal P IRF9520NPBF, TO-220AB, -100V, 6A, -100V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -100V. Courant de drain maxi: 6A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 350pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 28 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRF9520. Nombre de bornes: 3. Puissance: 40W. RoHS: oui. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 14 ns. Température maxi: +175°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: International Rectifier. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 22:25

Documentation technique (PDF)
IRF9520NPBF
21 paramètres
Boîtier
TO-220AB
Tension drain - source (Vds)
-100V
Courant de drain maxi
6A
Tension drain-source Uds [V]
-100V
Capacité de grille Ciss [pF]
350pF
Configuration
montage traversant pour circuit imprimé
Courant de drain Id (A) @ 25°C
-6.8A
Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]
0.48 Ohms @ -4A
Dissipation maximale Ptot [W]
48W
Délai de coupure tf[nsec.]
28 ns
Famille de composants
MOSFET, P-MOS
Marquage du fabricant
IRF9520
Nombre de bornes
3
Puissance
40W
RoHS
oui
Temps d'enclenchement ton [nsec.]
14 ns
Température maxi
+175°C.
Tension de rupture de grille Ugs [V]
-4V
Type de canal
P
Type de transistor
transistor de puissance MOSFET
Produit d'origine constructeur
International Rectifier