Transistor canal P IRF7342TRPBF, SO8, -55V. Boîtier: SO8. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -55V. Capacité de grille Ciss [pF]: 690pF. Configuration: composant monté en surface (CMS). Courant de drain Id (A) @ 25°C: -3.4A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.105 Ohms @ -3.4A. Dissipation de puissance maxi: 2W. Dissipation maximale Ptot [W]: 2W. Délai de coupure tf[nsec.]: 64 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 3.4A. Information: -. MSL: 1. Marquage du fabricant: F7342. Nombre de bornes: 8. Particularités: -. Polarité: MOSFET P. RoHS: oui. Série: HEXFET. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 22 ns. Température maxi: +150°C.. Tension d'entraînement: -. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -3V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: SMD. Vdss (tension drain à source): -55V. Produit d'origine constructeur: Infineon. Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 21:51