Transistor canal P IRF9520PBF, TO-220AB, -100V. Boîtier: TO-220AB. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -100V. Capacité de grille Ciss [pF]: 390pF. Charge: 18nC. Conditionnement: tubus. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -6.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.48 Ohms @ -4A. Courant de drain: -4.8A. Dissipation de puissance maxi: 40W. Dissipation maximale Ptot [W]: 48W. Délai de coupure tf[nsec.]: 21 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Id @ Tc=25°C (courant de drain continu): 6A. Information: -. MSL: -. Marquage du fabricant: IRF9520PBF. Montage/installation: THT. Nombre de bornes: 3. Particularités: -. Polarité: unipolaire. Puissance: 60W. RoHS: oui. Résistance dans l'état passant: 0.6 Ohms. Série: -. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 9.6 ns. Température maxi: +175°C.. Tension d'entraînement: 10V. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Tension drain - source: -100V. Tension grille-source: ±20V. Tension grille/source Vgs (Max): -20V. Type de montage: THT. Type de transistor: P-MOSFET. Vdss (tension drain à source): -100V. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 19:02