Transistor canal P IRF9610PBF, TO-220AB, -200V, 1.8A, -200V. Boîtier: TO-220AB. Tension drain - source (Vds): -200V. Courant de drain maxi: 1.8A. Boîtier (norme JEDEC): -. Tension drain-source Uds [V]: -200V. Capacité de grille Ciss [pF]: 170pF. Configuration: montage traversant pour circuit imprimé. Courant de drain Id (A) @ 25°C: -1.8A. Courant de drain à travers la résistance Rds [Ohm] @ Ids [A]: 3 Ohms @ -0.9A. Dissipation maximale Ptot [W]: 20W. Délai de coupure tf[nsec.]: 10 ns. Famille de composants: MOSFET, P-MOS. Marquage du fabricant: IRF9610PBF. Nombre de bornes: 3. Puissance: 20W. RoHS: oui. Résistance passante Rds On: 3 Ohms. Temps d'enclenchement ton [nsec.]: 8 ns. Température maxi: +150°C.. Tension de rupture de grille Ugs [V]: -4V. Type de canal: P. Type de transistor: transistor de puissance MOSFET. Produit d'origine constructeur: Vishay (ir). Quantité en stock actualisée le 02/11/2025, 23:16